当前的低k1光刻工艺增加了纳米设计中分辨率增强技术(RET)应用的复杂性。由于掩模规则约束、碎片、建模和计量误差等原因,这导致了更高的硅故障率。为了减少错误,在将设计发送给掩模或晶圆制造商之前,需要一个OPC后验证步骤来检测故障