GloryEX为芯片设计提供Signoff精度的高性能RC寄生参数提取解决方案。支持先进工艺节点的物理效应建模，支持16/14/12/10/7nm及更先进工艺制程的FinFET结构及更为复杂的特殊结构。完美地集成到全芯片时序、信号完整性、功耗完整性、物理验证、电路仿真等流程中，对3D和2.5D工艺定义和提取进行了无缝融合，从而加快设计收敛及签核验证。 GloryEX内置的3D场求解器可作为最高精度的参考工具或提供给用户最准确的计算结果；具有自主先进的Tech File，并兼容现有常用Tech File；将Transistor-Level和Gate-Level提取融为一体，支持不同精的选择和不同设计用户的签核需求。