图1是测试系统示意图。系统散热采用8个40 mm风扇。采用发热块模拟主芯片功耗，每个发热块200W。电源模块下方安装一个矩形发热条，模拟电源的功耗，发热条100W。硬盘盒由铝制成的“U”形框架模拟，通过在“U”形框架下安装矩形加热器来模拟四个硬盘的功耗，大约80W。将4个热电偶放置在散热器底部中心的孔中。孔中填充导热材料减小界面热阻。将三个热电偶连接铝“U”框架上，测试的平均温度。还将一个热电偶连接到电源底板测试电源温度。所有温度测量均使用J型热电偶进行。

      图2显示了Ujet-1000™机箱的爆炸图。

        图3是1U系统传统散热系统示意图。在该系统中，来自风扇的气流平行于散热器。

        图5显示了ATS Therm-Jet的方案测点，在四个散热器安装有测点，图中五角星代表散热器的冲击孔的位置。

        表1和2显示了由ATS 1U服务器的测试值。风机分别在12伏和6伏下测试。在传统散热和冲击射流情况下，获得了四个散热器，硬盘和电源的热阻数据。还记录了每种情况的噪声以进行比较。

        数据显示，与传统冷却相比，来自冲击射流散热器的热阻减小了22％至42％。电源显示热阻减小了10％。但是，硬盘热阻则提高了20％。这是因为在喷射冲击的情况下，风机压降增加，从而减少了通过系统的流量。但是在实际系统中，提高的百分比应该会小些。

        在这种情况下，通过系统的流量减少产生的影响比较小。另外，在该实验中硬盘驱动器温度的增加小于2℃，往往可以忽略。

        如果移除射流导管，将散热器高度增加到导管的高度，则可以看出关于散热器的性能是否可以改善的问题。

        分析表明，如果两种散热器高度下，压降是相同的，那么改进最多为5％。要详细研究这个问题，必须考虑风机曲线而不是使用固定的体积流量。

        表3显示了四个散热器，硬盘和电源的温度。正如我们前面提到的，散热器安装在200W热源上，电源功率为100 W，硬盘功率为80 W。可以看出，即使与具有管道的高散热器相比，冲击射流的散热器温度也显着降低。

        表4显示了射流与两个23.5毫米散热器和带管道28.5毫米散热器之间的四个芯片的温度改善。通过将6伏和12伏的结果进行比较，可以看出，在较低的电压下，射流温度差大于较高电压风机。这意味着低压风机应用射流效果更好。

        图6是表4的图示。该图示出了与射流技术相比，平行流和管道流下温度显著升高。部件（散热器）2和3比部件1和2更热，因为它们在下游，并且用于管道流的接近空气温度更高。在射流冲击模式中，冲击流处于上游温度，因此比在管道流中接收的空气冷得多。

        在冲击射流模式中，存在另一个轴向朝向部件流动的流动，称为横流。横流和冲击的相互作用降低部件（散热器）的温度。

        尽管传统的风冷技术正在快速接近热力学极限，但仍有许多潜力存在，例如射流技术也许会在几年内快速应用。