关注泰科科技 做模拟不迷路

[NH3F]+[CF3SO3]， [NH2F2]+[SbF6]和[N2F3]+[Sb3F16]的晶体结构已经确定，代表了这些简单氟氮阳离子的首次结构表征。研究了N2F+、N2F3+、NF2O+、NH3F+、NH2F2+和NF4+的中心氮原子杂化和氟取代基数目对N-F键长度的影响。结果表明，随着氟取代的增加和氮原子s-轨道成分的增加，N-F键长从1.40Å下降到1.26Å，而以往文献报道的不同寻常的N-F键长是由无序问题引起的。

氟氮阳离子具有重要的应用价值，如强氧化剂、高能密度材料(HEDM)中的成分、化学激光用NF3/F2气体发生器、火箭推进剂、芳香族化合物的亲电氟化剂、以及合成次萤石的优良试剂。

在此，Christe教授首次报道了NH3F+、NH2F2+和N2F3+阳离子的晶体结构。氟氮阳离子晶体结构的更大挑战是无序。因此，Christe教授花了41年的时间和大量的出版物来解决NF4+的紊乱问题。氨基甲酸盐ROC(O)NH2 (R=C2H5， (CH3)2CH)氟化和酸裂解制备NH3F+(1)和(2)]。

用NHF2或FN3质子化法制备了MF6 (M=as, Sb)盐(3)和(4)]。

通过(1)和(2)[R=(CH3)2CH]反应得到的[NH3F]+[CF3SO3]盐具有有序的晶体结构。单元电池由两个完全分离的离子对组成(图2)，其N-F键长度相同，为1.367(4)Å。

从二维H···F指纹图可以看出，该结构表现出非常弱的离子间H··F相互作用，占Hirshfeld表面的5%(图S10)。大多数表面表现出很强的H···O相互作用(58%)或F···F接触(34%)(图3)。

[NH2F2]+[SbF6]的晶体结构也显示出良好的阳离子和阴离子分离(图4)。Hirshfeld 2D H···F指纹图显示，化合物的离子间H···F桥为1.64 Å，表面覆盖率为38%(图S11)。

[N2F3]+[Sb3F16]的晶体结构再次显示出良好的阳离子和阴离子分离(图5)。

[N2F3]+离子在位置上和旋转上都是无序的(参见图6中的插入)，它的结构可以解决，在某些约束条件下，实验得到的键长和键角与CCSD(T)-f12b /augcc-PVQZ理论水平上的预测结果一致(图6)，为观测到的几何结构提供了有力的支持。

如图3所示，N2F3+离子的Hirshfeld表面显示，不足为奇的是，95%的表面被与Sb3F16阴离子接触的F·F覆盖(图3)。

由表2可以看出，N-F键N中s-轨道成分和氟取代基的数量是决定因素。

本文报道了简单氟氮阳离子[NH3F]+， [NH2F2]+和[N2F3]+的首次结构表征。在N2F+、N2F3+、NF2O+、NH3F+、NH2F2+和NF4+系列中，中心氮原子的杂化和氟取代基的数量是影响N-F键长度的关键因素。N-F键长随氟取代的增加和氮原子s-轨道成分的增加而减小，从1.40Å降至1.26Å。高级量子化学计算被用来支持这些结论。结果表明，在以前的出版物中报道的不寻常的N-F键长度是由无序问题引起的。FN3和NHF2对冲击非常敏感。它们应该谨慎处理。

北京泰科博思科技有限公司（Beijing Tech-Box S&T Co. Ltd.）成立于2007年，是国内领先的分子模拟及虚拟仿真综合解决方案提供商。

北京泰科博思科技有限公司与国际领先的模拟软件厂商、开发团队深入合作，为高校、科研院所和企业在材料、化工、药物、生命科学、环境、人工智能及数据挖掘、虚拟仿真教学等领域提供专业的整体解决方案。用户根据需要在我们的平台上高效的进行各种模拟实验，指导实际的生产设计。

北京泰科博思科技有限公司拥有一支一流的技术服务团队和资深的专家咨询团队，以客户真正需求出发，服务客户，为客户创造价值。我们秉承“职业、敬业、担当、拼搏、合作”的企业精神，致力于用国际领先的软件产品和专业全面的技术支持服务，成为客户可信赖的合作伙伴。