用于微观特性计算的工具也可以计算V(E)CSEL结构的一些宏观特性，例如横模和纵模模式，反射和透射光谱，考虑空腔效应的表面-PL光谱，阈值电流或工作特性等。通过Simulase模拟可以将实验结果与理论值进行对比。利用微观多体模型开展的创新研究已在很多论文中得到证明。SimuLase也提供了有关设计、分析和优化案例。

SimuLase™提供：

软件给出了对任一可信器件建模时的准确初始基本输入。该数据也可导入到其他商业软件工具中，作进一步研究；

软件给出了易操作的GUI界面，可以确定很多结构的基本特性，而不需要任何实验反馈；

软件给出了很多经过实验验证的模型，在过去的二十年间，已经有五十多篇发表的论文对这些模型进行了研究。

而且，即使您不是微观多体物理学方面的专家，也可以充分利用本软件。SimuLase可以利用微观多体模型的参数匹配，自动的进行结构设计和预设置所有参数。同时为了快速浏览或找出研究兴趣点，软件也允许更改计算参数或使用简化模型。

本软件所采用的GUI界面方式，可以：

用于设计异质结构，只需简单的添加/删除/改变每层的宽度和组分；

即时显示异质结结构的能带、势能、子带和波函数；

计算和显示背景折射率剖面、横模和纵模以及光学约束因子；

计算和显示结构的反射和透射谱；

计算施压掺杂层的电场分布；

计算由于自由载流子导致的本地电荷不均匀而产生的势能变化；

Gain Databases增益数据库:

该数据库给出了标准III-V 和II-VI族元素系统的数据；

数据库中材料特性可用于实现对激光芯片的完整闭环设计，从一般的结构设计入手（如层宽、构成和掺杂组成），然后在实验误差范围内对激射波长到输入输出特性等进行预测。

软件提供的定量计算可对大部分光电器件如半导体激光器、光放大器或调制器等主要的材料特性进行预估。相对材料和结构设计，这些分析结果是普适的，几乎没有什么限制。采用微观多体计算过程可以算出：增益、吸收及折射谱；自发辐射（光致发光）谱；自发辐射的电流损耗；俄歇过程的电流损耗；带内（自由载流子）吸收；同时也可得到相关的一些参数，如微分增益和线宽加强因子。

采用的算法包括移相乘法和线型函数，避免了复杂算法。